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SPB18P06P詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 13.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：81.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

SPB18P06P G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 13.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：81.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-2; 包裝：帶卷 (TR)

SPB18P06P G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 13.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：81.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-2; 包裝：剪切帶 (CT)

SPB18P06P G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 13.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V; 功率_最大：81.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-2; 包裝：Digi-Reel®

VI-BNB-MU-F2
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 75W
SPB18P06P G
FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
VI-B7M-MW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 100W
VJ1210A390KBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 39PF 1.5KV 10% NP0 1210
SQCB7M2R0BAJME\500
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SQ48T05080-NAA0
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VI-J4B-MY-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 50W
VI-BNB-MU-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 200W
VI-B7M-MX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W
VJ1210A390KBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 39PF 1.5KV 10% NP0 1210
SQCB7M2R0BAJWE
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 2PF 500V 1111
SQ48T05080-NBA0
DC DC Converters Power-One 8-DIP 模塊 DC/DC CONVERT 8V 5.3A
VI-BNB-MV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 150W
VI-J4B-MZ-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 25W

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