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SI4825DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 11.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4825DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 11.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4825DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 11.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4825DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 11.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4825DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 11.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4825DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 11.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4825DY供應(yīng)商

VI-B6W-MV
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 150W
VI-B7K-IW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W
SI4825DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
VI-JWM-EX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W
VI-B2Z-EW-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W
VI-B32-IW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 100W
VJ1210A151JBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 150PF 100V 5% NP0 1210
SH196S144
傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft MINI-MZR SHLD SKT STR SGL END
VI-B6W-MV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 150W
VI-JWM-EX-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W
VI-B32-IW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 100W
VI-B2Z-EW-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W
SH220M050ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 22UF 50V 20% RADIAL
VJ1210A151KXRAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 150PF 1.5KV 10% NP0 1210
VI-B6W-MV-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 150W

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