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IRL3302S 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IRL3302S詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：39A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V

功率_最大：57W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL3302SPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：39A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V

功率_最大：57W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL3302STRL詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：39A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V

功率_最大：57W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRL3302STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：39A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V

功率_最大：57W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRL3302STRR詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：39A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V

功率_最大：57W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• IRL3103S

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

• IRF7425

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC

• IHSM7832ER150L

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR POWER 15UH 4.5A SMD

• IRF9333TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC

• CRCW2512200RFKTG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 200 OHM 1W 1% 2512 SMD

• EXB-D6JP000A

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制），凹陷    RES ARRAY 0.0 OHM RES 1206

• IRL3202S

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK

• IRF9358TRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 9.2A DUAL 8SOIC

• IHSM7832ER220L

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR POWER 22UH 3.8A SMD

• EXB-E10C101J

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Panasonic Electronic Components    1608（4021 公制），凹陷    RES ARRAY 100 OHM 8 RES 1608

• CRCW2512205KFKTG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 205K OHM 1W 1% 2512 SMD

• IRF9362TRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH DUAL 30V 8A 8-SOIC

• IRL3303S

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK

• IRF9383MTR1PBF

  FET - 單    International Rectifier    *    MOSF P CH 30V 22A DIRECTFET

• IRF7433PBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC