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IRF9630詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF9630L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF9630PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF9630S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9630SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9630STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

ECW-F6273JLB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.027UF 630VDC RADIAL
K271K10C0GH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 270PF 100V 10% RADIAL
L-05B2N2SV6T
固定式 Johanson Technology Inc 0201（0603 公制） IND CER RF 2.2NH 0201
IRF9630PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220AB
LMC7221AIM5X/NOPB
線性 - 比較器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC COMPAR TNY CMOS RR IN SOT23-5
ECS-3525-120-B-TR
振蕩器 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 12.00 MHZ 2.5V SMD
KT11P4SA2M35LFG
觸摸 C&K Components SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V
K271K10X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 270PF 50V 10% RADIAL
ECW-F6274RJL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.27UF 630VDC RADIAL
LMC7221AIM5X/NOPB
線性 - 比較器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC COMPAR TNY CMOS RR IN SOT23-5
ECS-3525-143-B-TR
振蕩器 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 14.31818 MHZ 2.5V SMD
L-05B2N7SV6T
固定式 Johanson Technology Inc 0201（0603 公制） IND CER RF 2.7NH 0201
KT11P4SA3M33
觸摸 C&K Components SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 50V
L4018C2R2MDWDT
固定式 Kemet 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR 2.2UH 20% 4018
ECW-F6304RHL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.3UF 630VDC RADIAL

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