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IRF8113詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 17.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF8113GPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A SO-8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 17.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF8113GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 17.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF8113GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 17.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF8113GTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 17.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF8113PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.6 毫歐 @ 17.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2910pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRKH42/08A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 2） SCR MOD PWR 800V 40A ADD-A-PAK
EXB-A10P563J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 2512（6431 公制），凹陷 RES ARRAY 56K OHM 8 RES 2512
IRF7910PBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 12V 10A 8-SOIC
IRKH56/14A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 2） SCR DBL LOSCR 1400V 60A ADDAPAK
IRF7324D1TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
FNR-3-48G
配件 Power-One SOT-227-2 19" RACK FOR 3X 48V FRONT END
IHSM5832ER4R7L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 4.7UH 7.4A SMD
EXB-A10P564J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 2512（6431 公制），凹陷 RES ARRAY 560K OHM 8 RES 2512
IRKH56/16A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 2） SCR DBL LOSCR 1600V 60A ADDAPAK
IRKH57/06A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 2） SCR MOD PWR 600V 55A ADD-A-PAK
IRF7325TR
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
IHSM5832PJ100L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 10UH 4.3A SMD
FNR-5-12G
配件 Power-One SOT-227-2 19" RACK FOR 5X 12V FRONT END
EXB-A10P822J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 2512（6431 公制），凹陷 RES ARRAY 8.2K OHM 8 RES 2512
CRCW25121R00FKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.00 OHM 1W 1% 2512 SMD

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