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IRF7704詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：管件

IRF7704GTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7704GTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7704GTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

IRF7704TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7704TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：46 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3150pF @ 25V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

H2BBT-10105-V4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015V/H1500TR 5"
FGB.1B.304.CLAD52Z
連接器，互連器件 LEMO SC-94 PLUG CDB 4CTS C-COL
IPI60R099CPA
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
IRF7704TR
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
H2MXS-1036M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM10S/AE10M/X
GP11MSAKE
按鈕 C&K Components 模塊 SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 20V
H2MXS-1436M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM14S/AE14M/X
IRF6217TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
H2BBT-10106-G4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015G/H1500TR 6"
FGB.1B.304.CLAM27Z
連接器，互連器件 LEMO SC-94 PLUG CDB 4CTS M-COL
GP12MAKE
按鈕 C&K Components 模塊 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
H2MXS-1618M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM16S/AE16M/X
IRF630L
FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
H2MXS-1636G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM16S/AE16G/X
H2BBT-10106-L6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049L/H1500TR 6"