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IRF7389詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A，5.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7389PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A，5.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7389TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A，5.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7389TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A，5.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7389TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A，5.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7389TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A，5.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

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Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS R/A .100 SLD
HCNW137-000E
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-DIP（0.400"，10.16mm） OPTOCPLR LOG-OUT 10MBD 8DIP WIDE
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陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤(pán) CAP CER 470PF 2KV 10% RADIAL
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FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
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其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
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圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
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配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR ADHESV TAPE
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跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048L/H1504TR12"
HBZ471MBBCF0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤(pán) CAP CER 470PF 2KV 20% RADIAL
IRF8302MTR1PBF
其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
E39-RSP1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTIVE TAPE FOR E3ZM/B
DTS26F9-35BD
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
H3BBT-10112-V6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3049V/H1504TR12"
HCNW139#500
光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER 1CH 100KBD 8-SMD+G62
IRF740
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

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