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IRF7321D2TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 4.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

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IRF7321D2TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 4.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

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RF 天線 Laird Technologies IAS 軸向 ANT OMNIDIR 9DBI 2.4GHZ N FEMALE
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接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 20POS 10MM
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