欧美日韩国产精品动漫精品,亚洲伦理精品久久,靠逼软件下载

IRF6611詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 27A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V; 功率_最大：3.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6611詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 27A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V; 功率_最大：3.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6611TR1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 27A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V; 功率_最大：3.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6611TR1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 27A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V; 功率_最大：3.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6611TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 27A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V; 功率_最大：3.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6611TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 27A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V; 功率_最大：3.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：Digi-Reel®

HFBR-EUD500
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK DUPLEX UNCONN 500M
GRM1556T1H150GD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 15PF 50V 2% T2H 0402
IRFR9120TR
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
IR21362STRPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC
FVXO-PC73BR-155.52
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 155.52 MHZ 3.3V PECL SMD
CY7C144-15AXCT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 64-LQFP IC SRAM 64KBIT 15NS 64LQFP
FXO-HC736R-57.5491
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 57.5491 MHZ 3.3V HCMOS SMD
HFBR-EUS100
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BK SIMPLEX UNCONN 100M
GRM1556T1H160JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 16PF 50V 5% T2H 0402
IR21363JPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 44-PLCC（32 引線） IC DRIVER 3-PHASE 44-PLCC
HFBR-EUS100Z
光纖 Avago Technologies US Inc. FIBER OPTIC CBL SIMPLEX 1=100M
CY7C144-15AXIT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 64-LQFP IC SRAM 64KBIT 15NS 64LQFP
FVXO-PC73BR-224
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 224 MHZ 3.3V PECL SMD
FXO-HC736R-58.9824
振蕩器 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 58.9824 MHZ 3.3V HCMOS SMD
GRM1556T1H1R2CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 1.2PF 50V T2H 0402