IRF624S 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRF624S詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.6A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF624SPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.6A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF624STRL詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.6A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF624STRR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：250V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.6A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• INA110SG

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    16-CDIP SB（0.300"，7.62mm）    IC OPAMP INSTR 2.5MHZ SGL 16CDIP

• IRF6216TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC

• DTS24F21-41SB-LC

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG RCPT JAM NUT 41POS SKT

• GSM06DTAN-S273

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD

• DTS26W13-35SN-LC

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG PLUG STRGHT 22POS SKT

• DTS20W23-21HN

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN RCPT 21POS FLANGE W/PINS

• GTC020R-40-53S

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations        CONN RCPT 60POS BOX MNT W/SCKT

• INA114BU/1K

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC OPAMP INSTR 1MHZ SGL 16SOIC

• DS1L5DJ100S-C

  延遲線    Susumu    3-SIP    DELAY LINE 1.0NS +-50PS 3SIP

• GSM06DTBT-S664

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 12POS R/A .156

• DTS26W13-4AD

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG PLUG STRGHT 4POS PIN

• DTS20W23-21PA-LC

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG RCPT FLANGE 21POS PIN

• DS1L5DJ180S-C

  延遲線    Susumu    3-SIP    DELAY LINE 1.8NS TD +-50PS 3SIP

• IRF630NSTRLPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

• DTS24F21-41SD-LC

  圓形 - 外殼    TE Connectivity        CONN HSG RCPT JAM NUT 41POS SKT