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IRF6218STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 25V; 功率_最大：250W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF6218STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 25V; 功率_最大：250W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6218STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2210pF @ 25V; 功率_最大：250W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

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FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
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