當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁 » 庫存索引95 » 型號(hào)"IRF5806"的供應(yīng)信息

IRF5806 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IRF5806詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：86 毫歐 @ 4A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.4nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：594pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）

包裝：管件

IRF5806TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：86 毫歐 @ 4A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.4nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：594pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）

包裝：剪切帶 (CT)

IRF5806TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：86 毫歐 @ 4A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.4nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：594pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）

包裝：Digi-Reel®

IRF5806TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：86 毫歐 @ 4A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.4nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：594pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）

包裝：帶卷 (TR)

• IXFT52N50P2

  FET - 單    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    MOSFET N-CH 500V 52A TO268

• K183K15X7RK5TL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 0.018UF 200V 10% RADIAL

• K180K15C0GF53L2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL

• ECQ-E6473KF3

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL

• IRF5803D2TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC

• ISL6612BIB

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

• KTR10EZPJ100

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 10 OHM 1/8W 5% 0805 SMD

• IXFT58N20Q

  FET - 單    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    MOSFET N-CH 200V 58A TO-268

• K183M10X7RF5TL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL

• ECQ-E6473KF3

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL

• KTR10EZPJ102

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 1.0K OHM 1/8W 5% 0805 SMD

• ISL6612BIR

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

• IXFT60N25Q

  FET - 單    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    MOSFET N-CH 250V 60A TO-268

• K183M10X7RF5UH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL

• K180K15C0GH5UH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 18PF 100V 10% RADIAL