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IRF4905SPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF4905STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF4905STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF4905STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF4905STRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：74A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 38A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3400pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF4905STRRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3500pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF4905S供應(yīng)商

DTS26F21-11JB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/SKT
IMP1-3L0-2E2-1Q1-4LL0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IRF7504TR
FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
IRF4905STRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
IRF6217TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
E32-T16W
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預(yù)接線 SENS FIBER AREA 30MM THRUBEAM
IPR3FAD6
按鈕 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V
HCM24DRTI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS DIP .156 SLD
DTS26F21-11PC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/PINS
IRF7509TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET N/P-CH 30V MICRO8
E32-T16W
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預(yù)接線 SENS FIBER AREA 30MM THRUBEAM
IRF624L
FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-262
IPR3FAD7/1L0G
按鈕 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPST-NO 0.5A 48V
HCM24DRTS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS DIP .156 SLD
DTS26F21-11PD-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 11POS PIN

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