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IRF3707詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3707L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3707LPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF3707PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF3707S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3707SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRLL110TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
IRF3707
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
E4001NLT
脈沖 Pulse Electronics Corporation 模塊，連接器 XFRMR LAN ISOL 10BASE-T 1:2 SMD
IRG4BC20K-SPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT N-CHAN 600V 16A D2PAK
ISL32452EIUZ
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC TRANSCEIVER 8-MSOP
E39-L72
配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET FOR E3S-B VERT SENSOR
ISL9008AIEFZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC REG LDO 2.5V .15A SC70-5
HM1C09D2C010EB
背板 - 專用 FCI 徑向 - 4 引線 10POS LOADED HM1C
IRLL2703TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
IRG4BC20SDPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT N-CH W/DIO 600V 19A TO220AB
ISL32453EIBZ
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TRANSCEIVER 14-SOIC
ISL9008AIRUCZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 1.8V .15A 6-UTDFN
E39-L85
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MNT BRACKET FOR E3S-42/44 VERT
IRLML0060TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
HM1C09D2C010EBLF
背板 - 專用 FCI 徑向 - 4 引線 10POS LOADED HM1C

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