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IRF3205ZS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 66A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3205ZSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 66A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3205ZSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 66A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3205ZSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 66A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF3205ZSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 66A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF3205ZSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 66A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3450pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IXTQ200N075T
FET - 單 IXYS TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P
ISL6410AIUZ-TK
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC REG BUCK SYNC 0.6A 10MSOP
IRF3205ZL
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
ECS-162.5-20-4
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.257 MHZ 20PF 49US
ECS-122.8-20-7S-TR
晶體 ECS Inc 4-SOJ，9.40mm 間距 CRYSTAL 12.288MHZ 20PF SMD
ECS-100AX-400
振蕩器 ECS Inc 14-DIP，4 引線（全尺寸，金屬罐） OSC 40.000 MHZ 5.0V FULL SIZE
LP2985IM5-2.0
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 2V .15A SOT23-5
ISC1812ET4R7K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 4.7UH 10% 1812
IXTQ200N085T
FET - 單 IXYS TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P
ECS-162.5-20-5P-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.257MHZ 20PF SMD
LP2985IM5-2.5/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 2.5V .15A SOT23-5
ECS-100AX-640
振蕩器 ECS Inc 14-DIP，4 引線（全尺寸，金屬罐） OSC 64.000 MHZ 5.0V FULL SIZE
ECS-122.8-20-7S-TR
晶體 ECS Inc 4-SOJ，9.40mm 間距 CRYSTAL 12.288MHZ 20PF SMD
ISC1812RQ121K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120UH 10% 1812
IXTQ280N055T
FET - 單 IXYS TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P

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