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IPB06N03LA 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IPB06N03LA詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：50A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫歐 @ 30A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 40µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2653pF @ 15V

功率_最大：83W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：剪切帶 (CT)

IPB06N03LA詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：50A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫歐 @ 30A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 40µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2653pF @ 15V

功率_最大：83W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：帶卷 (TR)

IPB06N03LA G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：50A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫歐 @ 30A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 40µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2653pF @ 15V

功率_最大：83W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：帶卷 (TR)

IPB06N03LAT詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：50A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫歐 @ 30A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 40µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2653pF @ 15V

功率_最大：83W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：剪切帶 (CT)

IPB06N03LAT詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：25V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：50A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫歐 @ 30A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 40µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2653pF @ 15V

功率_最大：83W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3

包裝：帶卷 (TR)

• ISL3284EIHZ-T

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Intersil    SOT-23-6    IC RCVR ESD RS485/422 LP SOT23-6

• IRLZ34NS

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

• KPT08F12-8PA206

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 8POS W/PIN CABLE R/A

• LNRK.300T

  保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制    Littelfuse Inc    盒，非標(biāo)準(zhǔn)    FUSE 300MA 250V NON STD SLOW

• IPB06N03LAT

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

• ISL9000IRNNZ-T

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 3.3V .3A 10-DFN

• ISL3284EIHZ-T

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Intersil    SOT-23-6    IC RCVR ESD RS485/422 LP SOT23-6

• KPSE06A12-10SF0

  圓形 - 外殼    ITT Cannon        10 SOCKET CONTACT CONNECTOR

• IRLZ34NSTRLPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

• LNRK.800T

  保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制    Littelfuse Inc    盒，非標(biāo)準(zhǔn)    FUSE 800MA 250V NON STD SLOW

• ECQ-U2A473MG

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.047UF 275VAC RADIAL

• ISL9000IRPLZ-T

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 1.85V/2.9V .3A 10-DFN

• ISL3293EFHZ-T

  接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器    Intersil    SOT-23-6    IC TX ESD RS485/422 LP SOT23-6

• KPSE06A12-10SY

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 10POS CABLE SKT

• KPT08F12-8PX

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 8POS W/PIN CABLE R/A