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FQD5P20 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

FQD5P20TF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 1.85A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD5P20TM詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 1.85A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

FQD5P20TM詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 1.85A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3; 包裝：帶卷 (TR)

FQD5P20TM詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 1.85A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3; 包裝：Digi-Reel®

FQD5P20TM_F080詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 1.85A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：430pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FQD5P10TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
GLZ1AJ
配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW SIDE
H3DWH-5006G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR50H/AE50G/HPL50H
GLZ1AJ
配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW SIDE
H3DWH-6036G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR60H/AE60G/HPL60H
GLZ1AJ
配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW SIDE
FQD5P20TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
H3JA-8A AC100-120 10M
延時(shí)型 Omron Electronics Inc-IA Div TIMER SOLID STATE 10MIN DIN MNT
GLZ1AK8A
配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW -CAT WHISKER
GLZ1AK8A
配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW -CAT WHISKER
ECW-F4333RJL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.033UF 400VDC RADIAL
GLZ1AK8B
配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW -CAT WHISKER
ECW-F4334RJL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.33UF 400VDC RADIAL
FQD630TF
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
GLZ1AK8B
配件 Honeywell Sensing and Control GLZ GLOBAL LIMIT SW -CAT WHISKER