FQA44N08 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

FQA44N08詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P

系列：QFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：80V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：49.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫歐 @ 24.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1430pF @ 25V

功率_最大：163W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-3P

包裝：管件

• CGA6L4C0G2J472J

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 4700PF 630V 5% NP0 1210

• ESR10EZPF1000

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 100 OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• FK16X7R2A334K

  陶瓷    TDK Corporation    徑向    CAP CER 0.33UF 100V 10% RADIAL

• CGA3E2C0G2A331J

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 330PF 100V 5% NP0 0603

• CGJ5L2X7R1A335K

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 3.3UF 10V 10% X7R 1206

• FQA22P10

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET P-CH 100V 24A TO-3P

• CGA6L4C0G2J562J

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 5600PF 630V 5% NP0 1210

• ESR10EZPF1002

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 10.0K OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGA3E2C0G2A331J

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 330PF 100V 5% NP0 0603

• CGJ5L2X7R1A475K

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206

• ESR10EZPF1003

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 100K OHM 1/4W 1% 0805 SMD

• CGA6L4C0G2J562J

  陶瓷    TDK Corporation    1210（3225 公制）    CAP CER 5600PF 630V 5% NP0 1210

• CGA3E2C0G2A391J

  陶瓷    TDK Corporation    0603（1608 公制）    CAP CER 390PF 100V 5% NP0 0603

• FQA55N10

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-3P-3，SC-65-3    MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P

• CGJ5L2X7R1A475K

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206