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FDS86242 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

FDS86242詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：67 毫歐 @ 4.1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 75V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

FDS86242詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：67 毫歐 @ 4.1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 75V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

FDS86242詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.1A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：67 毫歐 @ 4.1A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 75V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

• ISC1812RQR39M

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 390NH 20% 1812

• IRG4BH20K-LPBF

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA    IGBT UFAST 1200V 11A TO262

• IRG4BH20K-S

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    IGBT UFAST 1200V 11A D2PAK

• FDS86141

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOIC

• H4BBG-10105-L8-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3048L/H9991TR 5"

• IR2102STRPBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC

• GJM0335C1E6R7DB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.7PF 25V NP0 0201

• ISC1812RQR68K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 680NH 10% 1812

• IRG4IBC10UDPBF

  IGBT - 單路    International Rectifier    TO-220-3 整包    IGBT W/DIODE 600V 6.8A TO220FP

• IR21064PBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    International Rectifier    14-DIP（0.300"，7.62mm）    IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP

• H4BBG-10105-S1-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047S/H9991TR 5"

• ISC1812RV100K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 10UH 10% 1812

• GJM0335C1E6R7WB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 6.7PF 25V NP0 0201

• FDS86252

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOICN

• H4BBG-10106-N1-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd    9-DIP 模塊，1/2 磚    JUMPER-H9991TR/A3047N/H9991TR 6"