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FDS6930A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 15V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

FDS6930A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 15V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

FDS6930A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 5.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 15V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

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FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 20V 9.4A 8SOIC
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芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES ANTI-SULFUR 8.66KOHM 1% 0805
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芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES ANTI-SULFUR 86.6KOHM 1% 0805
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FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC