當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁(yè) » 庫(kù)存索引460 » 型號(hào)"FDS6699S"的供應(yīng)信息

FDS6699S 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

FDS6699S詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

系列：PowerTrench®, SyncFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫歐 @ 21A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：91nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3610pF @ 15V

功率_最大：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

FDS6699S詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

系列：PowerTrench®, SyncFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫歐 @ 21A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：91nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3610pF @ 15V

功率_最大：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

FDS6699S詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

系列：PowerTrench®, SyncFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫歐 @ 21A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：91nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3610pF @ 15V

功率_最大：1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

• H48-6G-150-150-1.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 150X150X1MM

• IQ1030 2202

  配件    APM Hexseal    TO-247-3    BOOT SWITCH TOGGLE BLACK

• FDS6682

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC

• IRFZ14STRLPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

• ISC1812ESR12K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 120NH 10% 1812

• GJM0335C1E5R3BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.3PF 25V NP0 0201

• IRFZ14STRR

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

• H48-6G-150-150-5.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 150X150X5MM

• IQ82C55A96

  接口 - I/O 擴(kuò)展器    Intersil    44-QFP    IC I/O EXPANDER 24B 44MQFP

• ISC1812ESR12M

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 120NH 20% 1812

• GJM0335C1E5R3WB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.3PF 25V NP0 0201

• IRFZ24SPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

• H48-6G-150-150-5.0-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 150X150X5MM W/ADH

• IQ82C55AZ96

  接口 - I/O 擴(kuò)展器    Intersil    44-QFP    IC I/O EXPANDER 24B 44MQFP

• GJM0335C1E5R5BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.5PF 25V NP0 0201