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FDMS7672 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

FDMS7672詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 19A POWER56

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 19A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2960pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PQFN，Power56

供應(yīng)商設(shè)備封裝：Power56

包裝：帶卷 (TR)

FDMS7672詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 19A POWER56

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 19A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2960pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PQFN，Power56

供應(yīng)商設(shè)備封裝：Power56

包裝：剪切帶 (CT)

FDMS7672詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 19A POWER56

系列：PowerTrench®

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 19A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2960pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PQFN，Power56

供應(yīng)商設(shè)備封裝：Power56

包裝：Digi-Reel®

FDMS7672AS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56

系列：PowerTrench®, SyncFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 18A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-PQFN（5X6），Power56

包裝：剪切帶 (CT)

FDMS7672AS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56

系列：PowerTrench®, SyncFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 18A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-PQFN（5X6），Power56

包裝：Digi-Reel®

FDMS7672AS詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56

系列：PowerTrench®, SyncFET™

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 18A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2820pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-PQFN（5X6），Power56

包裝：帶卷 (TR)

• MAX1265ACEI+

  數(shù)據(jù)采集 - 模數(shù)轉(zhuǎn)換器    Maxim Integrated    28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）    IC ADC 12BIT 265KSPS 28-QSOP

• MA-306 29.4912M-C0

  晶體    EPSON    4-SOJ，5.50mm 間距    CRYSTAL 29.4912MHZ 18PF SMD

• FDMS7670AS

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-PQFN，Power56    MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56

• LM3S5B91-IBZ80-C5T

  嵌入式 - 微控制器，    Texas Instruments    108-LFBGA    IC ARM CORTEX MCU 256KB 108NFBGA

• FAN7842MX

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DRIVER HIGH/LOW GATE 8-SOP

• MCR10EZPF4640

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 464 OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• MAX6442KABGZD3+T

  PMIC - 電池管理    Maxim Integrated    SOT-23-8    IC BATTERY MON DUAL SOT23-8

• MA-306 30.0000M-C0:ROHS

  晶體    EPSON    4-SOJ，5.50mm 間距    CRYSTAL 30.0000MHZ 18PF SMD

• MCR03EZHJ101

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES SMD 100 OHM 1608 1/10W 5%

• LM3S5C31-IBZ80-A1

  嵌入式 - 微控制器，    Texas Instruments    108-LFBGA    IC ARM CORTEX MCU 108NFBGA

• MCR10EZPF46R4

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 46.4 OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• FAN7930M

  PMIC - PFC（功率因數(shù)修正）    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC POWER FACTOR CORR CTRLR 8SOIC

• MA-306 33.3333M-C0

  晶體    EPSON    4-SOJ，5.50mm 間距    CRYSTAL 33.3333MHZ 18PF SMD

• MAX6442KABHTD3+T

  PMIC - 電池管理    Maxim Integrated    SOT-23-8    IC BATTERY MON DUAL SOT23-8

• MCR03EZP5FX2210

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 221 OHM 1/10W 1% 0603