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FDD6680詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 12A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1230pF @ 15V; 功率_最大：1.5W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FDD6680A詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 14A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1425pF @ 15V; 功率_最大：1.3W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

FDD6680AS詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 55A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 15V; 功率_最大：1.3W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

FDD6680AS詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 55A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 15V; 功率_最大：1.3W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

FDD6680AS詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 55A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 15V; 功率_最大：1.3W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

GBB50DHLR
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100PS .050 DIP SLD
GCC10DREI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS .100 EYELET
GBM24DTBN-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS R/A .156 SLD
FDD6680A
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 14A DPAK
GRM1886R1H6R7DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 6.7PF 50V R2H 0603
FDMS7682
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-PQFN，Power56 MOSFET N-CH 30V 22A POWER56
GBB50DHRD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN CARD EXTEND 100PS .050" SLD
FGG.0B.306.CLAD56Z
連接器，互連器件 LEMO PLUG CDG 6CTS C-COL
GCC10DRES
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS .100 EYELET
GRM1886R1H7R3DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 7.3PF 50V R2H 0603
FDMS7692
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
GBB50DHRN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN CARD EXTEND 100PS .050" SLD
FGG.0B.306.CLAZ
連接器，互連器件 LEMO PLUG CDG 6CTS
GCC10DRES-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS .100 EXTEND
GRM1557U1H201GZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 200PF 50V 2% U2J 0402

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