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FDB045AN08A0 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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FDB045AN08A0詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：138nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V; 功率_最大：310W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

FDB045AN08A0詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：138nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V; 功率_最大：310W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：Digi-Reel®

FDB045AN08A0詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：90A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：138nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V; 功率_最大：310W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FDB045AN08A0_F085詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：138nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V; 功率_最大：310W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263-2; 包裝：剪切帶 (CT)

FDB045AN08A0_F085詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：138nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V; 功率_最大：310W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263-2; 包裝：Digi-Reel®

FDB045AN08A0_F085詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：138nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V; 功率_最大：310W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263-2; 包裝：帶卷 (TR)

E3X-DA21-N
放大器 Omron Electronics Inc-IA Div - PREWIRED A/D NPN FO AMP
ERJ-S02F2551X
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0402（1005 公制） RES ANTI-SULFUR 2.55KOHM 1% 0402
FDB045AN08A0_F085
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
ERJ-3EKF2552V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 25.5K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
GBB20DHBD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" CONN EDGECARD 40POS R/A .050 SLD
ERJ-3EKF1203V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 120K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
E39-L43
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET HORIZ 20 DEG ANGL ADJUST
ERJ-S02F26R1X
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0402（1005 公制） RES ANTI-SULFUR 26.1 OHM 1% 0402
E3X-DA41AT-S 2M
放大器 Omron Electronics Inc-IA Div - ATC AMP, PNP, PREWIRED
ERJ-3EKF2553V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 255K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
E39-L44
配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET REAR MNT VERT FOR E3V3
ERJ-3EKF1204V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 1.20M OHM 1/10W 1% 0603 SMD
E3X-DA41-N
放大器 Omron Electronics Inc-IA Div - PREWIRED DIGITAL PNP FO AMP
ERJ-S02F2742X
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0402（1005 公制） RES ANTI-SULFUR 27.4KOHM 1% 0402
FDB13AN06A0
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB