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DMN4031SSD-13詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 40V 5.2A SO-8; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：945pF @ 20V; 功率_最大：1.42W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

DMN4031SSD-13詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 40V 5.2A SO-8; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：945pF @ 20V; 功率_最大：1.42W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

DMN4031SSD-13詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 40V 5.2A SO-8; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：945pF @ 20V; 功率_最大：1.42W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

EBH220BMTV-EVALZ
RF 評估和開發(fā)套件，板 Intersil 模塊 EVAL BRD FOR EBH220BMTV
CU4032K25G2
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DMN4015LK3-13
FET - 單 Diodes Inc TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
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FET - 陣列 Texas Instruments 8-SOIC（0.236"，6.00mm 寬） MOSFET N-CH 25V 40A 8SON
EBH500
尖端，噴嘴 Easy Braid Co. 模塊 BEVEL TIP 0.05MM
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芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .082 OHM 2W 1% 2512 SMD
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