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BUZ31詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 9A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 25V; 功率_最大：95W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3; 包裝：管件

BUZ31 E3045A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 9A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 25V; 功率_最大：95W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

BUZ31 E3046詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 9A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 25V; 功率_最大：95W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

BUZ31 H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 9A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 25V; 功率_最大：95W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO220-3; 包裝：管件

BUZ31 H3045A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 25V; 功率_最大：95W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：Digi-Reel®

BUZ31 H3045A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1120pF @ 25V; 功率_最大：95W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：剪切帶 (CT)

B43501F2188M
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1800UF 200V
744C083271JTR
網(wǎng)絡(luò)、陣列 CTS Resistor Products 2012（5131 公制），凹陷 RES ARRAY 270 OHM 4 RES 2012
B43508A9687M82
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 680UF 400V
B43514K5567M87
電容器 EPCOS Inc 560UF 450V 35X70 SNAP 4-PIN
BUZ30A
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
B7A-T6A1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-220-3 TERM BLOCK PLC 16POS NPN INPUT
C1206C151J1GALTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 150PF 100V 5% NP0 1206
B43508A9827M80
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 820UF 400V
744C083273JTR
網(wǎng)絡(luò)、陣列 CTS Resistor Products 2012（5131 公制），凹陷 RES ARRAY 27K OHM 4 RES 2012
B43514K567M7
電容器 EPCOS Inc 560UF 420V 35X70 SNAP 4-PIN
B7A-T6A1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK PLC 16POS NPN INPUT
C1206C151JFGACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 150PF 1.5KV 5% NP0 1206
744C083274JPTR
網(wǎng)絡(luò)、陣列 CTS Resistor Products 2012（5131 公制），凹陷 RES ARRAY 270K OHM 4 RES 2012
B43508B2108M000
電容器 EPCOS Inc 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1000UF 200V 20% SNAP
B43501F2188M67
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1800UF 200V

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