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BSP317P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 430MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：430mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 430mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 370µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：262pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP317P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 430MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：430mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 430mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 370µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：262pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

BSP317P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 430MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：430mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 430mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 370µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：262pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP317PE6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：430mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 430mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 370µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：262pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

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BSP317PE6327T詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：430mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 430mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 370µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.1nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：262pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

C3216C0G2J122J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1200PF 630V 5% NP0 1206
BFG520/XR,215
RF 晶體管 (BJT) NXP Semiconductors SOT-143R TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT143
BR24S128FVT-WE2
存儲器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC EEPROM 128KBIT 400KHZ 8TSSOP
BSP317PE6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223
B82432C1224K
固定式 EPCOS Inc 1812（4532 公制） INDUCTOR 220UH 115MA 1812 10%
B3F-6000 BY OMZ
觸摸 Omron Electronics Inc-EMC Div 1812（4532 公制） SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
BGA-SPAT-S
配件 OKI/Metcal 1812（4532 公制） SPATULA ASSORTMENT BGA SMALL
BD4938G-TR
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET CMOS 3.8V 5SSOP
C3216C0G2J181J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 180PF 630V 5% NP0 1206
BR24T01FJ-WE2
存儲器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC EEPROM I2C 1K 400KHZ 8-SOP
B3F-6020 BY OMZ
觸摸 Omron Electronics Inc-EMC Div 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
B82432C1274K
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1812 270UH 10%
BD4940G-TR
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET CMOS 4.0V 5SSOP
BGA-SPY
配件 OKI/Metcal 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 MIRROR REFLOW INSPECTION
C3216C0G2J181J
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 180PF 630V 5% NP0 1206

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