BSP171PE6327 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

BSP171PE6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：剪切帶 (CT)

BSP171PE6327詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

BSP171PE6327T詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：帶卷 (TR)

BSP171PE6327T詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 460µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V

功率_最大：1.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4

包裝：剪切帶 (CT)

• C1005X5R1A225K

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 2.2UF 10V 10% X5R 0402

• C0805C474M3VACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 0.47UF 25V 20% Y5V 0805

• BU2032SM-JJ-GTR

  電池座，夾，觸點    MPD (Memory Protection Devices)    0805（2012 公制）    HOLDER COIN CELL 2032 SMD

• B43457C9228M3

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SCREW TERM 2200UF 400V

• B72210S171K501

  TVS - 變阻器，MOV    EPCOS Inc        VARISTOR S10K175S5

• BSP171P L6327

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-261-4，TO-261AA    MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223

• C1005X5R1A225K

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 2.2UF 10V 10% X5R 0402

• B43858A4686M

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SINGLE END 68UF 350V

• B43457J1229M

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SCREW TERM 22000UF 160V

• B72210S200K531

  TVS - 變阻器，MOV    EPCOS Inc    圓盤 10mm    VARISTOR S10K20G3S5

• C0805C474M3VACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 0.47UF 25V 20% Y5V 0805

• C1005X5R1A225K

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 2.2UF 10V 10% X5R 0402

• B43858A9475M

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SINGLE END 4.7UF 400V

• BU2092F-E2

  接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器    Rohm Semiconductor    18-SOIC (0.213", 5.40mm 寬)    IC DRIVER 12BIT S-IN P-OUT SOP18

• B43457K478M3

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SCREW TERM 4700UF 400V