BC858 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

BC858A-7-F詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS BIPO PNP SGL 300MW SOT23-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：15nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：125 @ 2mA，5V

功率_最大：300mW

頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3

包裝：帶卷 (TR)

BC858ALT1詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP GP 30V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：125 @ 2mA，5V

功率_最大：225mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：帶卷 (TR)

BC858ALT1G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP GP 30V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：125 @ 2mA，5V

功率_最大：225mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：剪切帶 (CT)

BC858ALT1G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP GP 30V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：125 @ 2mA，5V

功率_最大：225mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：Digi-Reel®

BC858ALT1G詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP GP 30V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：125 @ 2mA，5V

功率_最大：225mW

頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）

包裝：帶卷 (TR)

BC858AMTF詳細規(guī)格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：100mA

電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

電流_集電極截止（最大）：-

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V

功率_最大：310mW

頻率_轉(zhuǎn)換：150MHz

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23

包裝：帶卷 (TR)

• 74VHC245MTCX

  邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器    Fairchild Semiconductor    20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC TRANSCVR 3-ST 8BIT 20TSSOP

• C0603C519C5GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 5.1PF 50V NP0 0603

• C0805C103K4RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 10000PF 16V 10% X7R 0805

• C2220C156K5RAC7800

  陶瓷    Kemet    2220（5750 公制）    CAP CER 15UF 50V 10% X7R 2220

• BC857W,135

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    SC-70，SOT-323    TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323

• BFC238332183

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.018UF 1KVDC RADIAL

• C0805C511K3GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 510PF 25V 10% NP0 0805

• C0603C519D5GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 5.1PF 50V NP0 0603

• C0805C103K5GAC7800

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 10000PF 50V 10% NP0 0805

• BFC238332203

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.02UF 1KVDC RADIAL

• BRHL2518T4R7MD

  固定式    Taiyo Yuden    1007（2518 公制）    INDUCTOR 4.7UH .75A 20% SMD

• C0805C183K5RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 0.018UF 50V 10% X7R 0805

• C0805C103K5GAC7800

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 10000PF 50V 10% NP0 0805

• C0603C519J5GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 5.1PF 50V 5% NP0 0603

• C0805C519C1GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 5.1PF 100V NP0 0805