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BC849AMTF詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：310mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：300MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

BC849B,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：Digi-Reel®

BC849B,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BC849B,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BC849B,215詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：剪切帶 (CT)

BC849B,235詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

C200HE-CPU42-ZE
其它 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） CPU 7.2K W/RS232 7.27.20POS I/O
C0805C102K5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1000PF 50V 10% NP0 0805
BC849B,215
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
C1812C221MGGACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 220PF 2KV 20% NP0 1812
BFC238370333
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.033UF 2.5KVDC RADIAL
C0603C0G1H330J
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 33PF 50V 5% NP0 0201
BD45255G-TR
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET OD 2.5V 50MS 5SSOP
C0805C511F3GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 510PF 25V 1% NP0 0805
C200HG-CPU43-E
其它 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） CPU 15.2K W/RS232 880POS I/O
C1812C221MGRACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 220PF 2KV 20% X7R 1812
BD45262G-TR
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET OD 2.6V 200MS 5SSOP
C0603C0G1H390J
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 39PF 50V 5% NP0 0201
BFC238370392
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 3900PF 2.5KVDC RADIAL
C200HG-CPU43-ZE
其它 Omron Electronics Inc-IA Div 徑向 CPU 15.2K W/RS232 880POS I/O
C0805C511J1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 510PF 100V 5% NP0 0805

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