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APT8030B2VFRG詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 800V 27A T-MAX; 系列：POWER MOS V®; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：510nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V; 功率_最大：520W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3 變式; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：T-MAX? [B2]; 包裝：管件

APT8030B2VRG詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 800V 27A T-MAX; 系列：POWER MOS V®; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：510nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V; 功率_最大：520W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3 變式; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：T-MAX? [B2]; 包裝：管件

APT8030JVFR詳細規(guī)格: 類別：FET; 描述：MOSFET N-CH 800V 25A SOT-227; 系列：POWER MOS V®; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：510nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V; 功率_最大：450W; 安裝類型：底座安裝; 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：ISOTOP?; 包裝：管件

APT8030JVR詳細規(guī)格: 類別：FET; 描述：MOSFET N-CH 800V 25A SOT-227; 系列：POWER MOS V®; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：510nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V; 功率_最大：450W; 安裝類型：底座安裝; 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：ISOTOP?; 包裝：管件

APT8030LVFRG詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 800V 27A TO-264; 系列：POWER MOS V®; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：510nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V; 功率_最大：520W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-264 [L]; 包裝：管件

APT8030LVRG詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 800V 27A TO-264; 系列：POWER MOS V®; 制造商：Microsemi Power Products Group; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 2.5mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：510nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7900pF @ 25V; 功率_最大：520W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-264 [L]; 包裝：管件

AFK478M10P44T-F
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - SMD CAP ALUM 4700UF 10V 20% SMD
AT25DF041A-MH-T
存儲器 Atmel 8-UDFN IC FLASH 4MBIT 70MHZ 8UDFN
4-641148-2
矩形 - 自由懸掛，面板安裝 TE Connectivity 8-UDFN CONN RCPT 12POS 18AWG MTA-156
APT8030B2VRG
FET - 單 Microsemi Power Products Group TO-247-3 變式 MOSFET N-CH 800V 27A T-MAX
AML51-G30GG
配件 Honeywell Sensing and Control TO-247-3 變式 BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
AGC-50-R
保險絲 Cooper Bussmann 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" FUSE 50A 32V FAST AGC GLASS
4804.1400
套管 - 音頻 Schurter Inc 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" PLUG 7.5MM 4P
B82466G682M
固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 6.8UH .49A SMD
AFK478M10P44T-F
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - SMD CAP ALUM 4700UF 10V 20% SMD
AGC-5-R
保險絲 Cooper Bussmann 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" FUSE 6A 250V GLASS FST UL
AML51-G30GG
配件 Honeywell Sensing and Control 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" BUTTON FOR SWES AND INDICATORS
B82466G682M
固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 6.8UH .49A SMD
4804.1400
套管 - 音頻 Schurter Inc 非標準 PLUG 7.5MM 4P
AFK478M16R44B-F
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - SMD CAP ALUM 4700UF 16V 20% SMD
4-641149-8
矩形 - 自由懸掛，面板安裝 TE Connectivity 徑向，Can - SMD 18P MTA156 ASSY 20AWG YEL LF

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