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ZXMN10A08E6TA詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 3.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 50V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-6; 包裝：Digi-Reel®

ZXMN10A08E6TA詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 3.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 50V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-6; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMN10A08E6TA詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 3.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 50V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-6; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMN10A08E6TC詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CHAN 100V SOT23-6; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 3.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 50V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-6; 包裝：帶卷 (TR)

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