SP8M10 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SP8M10FU6TB詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：N 和 P 溝道

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A，4.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.8nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 10V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SP8M10TB詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：N 和 P 溝道

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A，4.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 10V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SP8M10TB詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：N 和 P 溝道

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A，4.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 10V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SP8M10TB詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

FET型：N 和 P 溝道

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A，4.5A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 10V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

• SN74AUC2G79YZPR

  邏輯 - 觸發(fā)器    Texas Instruments    8-XFBGA，DSBGA    IC DUAL POS-EDG-TRG D F-F 8DSBGA

• RT0402CRE0714KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 14.0KOHM 1/16W .25% SMD 0402

• SP8M10TB

  FET - 陣列    Rohm Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC

• RT0603BRD07113RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 113 OHM 1/10W .1% SMD 0603

• SN74ACT74PW

  邏輯 - 觸發(fā)器    Texas Instruments    14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC DUAL POS-EDG-TRG D FF 14TSSOP

• SN10GE156

  振蕩器    Pericom    6-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC）    OSC 156.25MHZ 3.3V SMD

• RSF12FTR562

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MO 1/2W 0.562 OHM 1% AXIAL

• SN74AUC2G80DCUR

  邏輯 - 觸發(fā)器    Texas Instruments    8-VFSOP（0.091"，2.30mm 寬）    IC DUAL POS-EDG-TRG D F-F US8

• SN74HC594DT

  邏輯 - 移位寄存器    Texas Instruments    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-SOIC

• RT0603BRD07115KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 115K OHM 1/10W .1% SMD 0603

• SN74ACT74PWE4

  邏輯 - 觸發(fā)器    Texas Instruments    14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC DUAL POS-EDG-TRG D FF 14TSSOP

• SN10GE159

  振蕩器    Pericom    6-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC）    OSC 159.375MHZ 3.3V SMD

• RSF12GB12R0

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MO 1/2W 12 OHM 2% AXIAL

• SN74AUC2G80DCUR

  邏輯 - 觸發(fā)器    Texas Instruments    8-VFSOP（0.091"，2.30mm 寬）    IC DUAL POS-EDG-TRG D F-F US8

• SN74HC594DT

  邏輯 - 移位寄存器    Texas Instruments    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC SHIFT REGISTER 8BIT 16-SOIC