SI6943 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SI6943BDQ-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 陣列

描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 2.3A 8TSSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 2.5A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：800mW

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP

包裝：Digi-Reel®

SI6943BDQ-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 陣列

描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 2.3A 8TSSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 2.5A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：800mW

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP

包裝：帶卷 (TR)

SI6943BDQ-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 陣列

描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 2.3A 8TSSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 2.5A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：800mW

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP

包裝：剪切帶 (CT)

SI6943BDQ-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 陣列

描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 2.3A 8TSSOP

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)

漏極至源極電壓333Vdss444：12V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 2.5A，4.5V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：800mW

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-TSSOP

包裝：帶卷 (TR)

• SI4210-E-RF-EVB

  過(guò)時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào)    Silicon Laboratories Inc        BOARD EVALUATION FOR SI4210

• SR151A150JAATR1-

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 15PF 100V 5% RADIAL

• SI6926ADQ-T1-GE3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP

• RT0402CRE07178RL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 178 OHM 1/16W .25% SMD 0402

• RTD-1215/H-R

  DC DC Converters    Recom Power    10-DIP SMD 模塊（6 引線(xiàn)）    CONV DC/DC 2W 12VIN +/-15VOUT

• SH220M250ST

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向，Can    CAP ALUM 22UF 250V 20% RADIAL

• RT-375-3/16-X-STK

  熱縮管    TE Connectivity    2010（5025 公制）    HEAT SHRINK TUBING

• RT0805CRD07137KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 137K OHM 1/8W .25% SMD 0805

• SI4210-T-IF-EVB

  過(guò)時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào)    Silicon Laboratories Inc        BOARD RADIO INTRFC FOR SI4210

• RT0402CRE0717K8L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0402（1005 公制）    RES 17.8KOHM 1/16W .25% SMD 0402

• RTD-1215-R

  DC DC Converters    Recom Power    10-DIP SMD 模塊（6 引線(xiàn)）    CONV DC/DC 2W 12VIN +/-15VOUT

• SH221M100ST

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向，Can    CAP ALUM 220UF 100V 20% RADIAL

• RT0805CRD0713K3L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 13.3K OHM 1/8W .25% SMD 0805

• RT-3-NO.3-0-SP

  熱縮管    TE Connectivity    2010（5025 公制）    HEAT SHRINK TUBING

• SI4210-X-BO-EVB

  過(guò)時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào)    Silicon Laboratories Inc        BOARD BREAKOUT FOR SI4210