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SI4931DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 6.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 8.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 350µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4931DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 6.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 8.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 350µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4931DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 6.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 8.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 350µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4931DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 8.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 350µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4931DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 8.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 350µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4931DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 8.9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 350µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

VI-B33-CU-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 200W
SI4922BDY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 8A 8-SOIC
VI-JWN-EX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 75W
VI-B7Z-IW-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W
VI-B7L-IW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W
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DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 75W
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陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 27PF 1.5KV 10% NP0 1206
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電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 2.2UF 200V 20% RADIAL
VI-B33-CV-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 150W
VI-B7Z-IW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 50W
VI-B7L-IW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W
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陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 270PF 200V 10% NP0 1206
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傳感器電纜 - 配件 Conxall/Switchcraft 徑向，Can SHIELDED DC MICRO-MIZER
VI-B33-CV-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 150W

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