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SI4925BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 5.3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4925BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 5.3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4925BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 5.3A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4925BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4925DDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 15V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4925DDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 7.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 15V; 功率_最大：5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4925供應(yīng)商

SSQ-132-02-G-S
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 32POS SNGL GOLD
SI4925DDY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
SMA6F13A-M3/6A
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-221AC，SMA 扁平引線 TVS 600W 13V UNIDIR DO-221AC
SHTPPS
配件 Thomas Research Products 矩形外殼 - 開路 POWER SUPPLY SELF-HEATING TP
SR151C222MAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 2200PF 100V 20% RADIAL
MMSZ5228B-7-F
單二極管/齊納 Diodes Inc SOD-123 DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD-123
RY-1215D/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC 1W 12VIN +/-15VOUT
SRF0504-302Y
共模扼流圈 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 INDUCTOR COMMON MODE 6.0UH 0.5A
SSQ-132-02-T-S
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 32POS SNGL TIN
SI1012-A-GM
RF 收發(fā)器 Silicon Laboratories Inc 42-WFQFN 裸露焊盤 IC TXRX MCU + EZRADIOPRO
SR151C222MAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 2200PF 100V 20% RADIAL
MMSZ5228B-7-F
單二極管/齊納 Diodes Inc SOD-123 DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD-123
RY-1215S/P
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模塊（5 引線） CONV DC/DC 1W 12VIN 15VOUT
SRF0602-470Y
共模扼流圈 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 INDUCTOR COMMON MODE 47UH 0.3A
SSQ-133-02-T-D-RA
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 66POS DL R/A TIN

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