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SI4490DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.85A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4490DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.85A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4490DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.85A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4490DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.85A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4490DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.85A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

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MDM-51SH034K
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT 8"
RNCP0603FTD20K0
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 20K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
RNF18FTD20K0
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/8W 20K OHM 1% AXIAL
SCD335K601A3Z25-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 矩形接線盒 CAP FILM 3.3UF 600VDC SCREW
SI4490DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 200V 8-SOIC
SI7148DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 75V 28A PPAK 8SOIC
SI4022-A0-FTR
RF 發(fā)射器 Silicon Laboratories Inc 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC TX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP
SD6XA-008G-000000
固態(tài)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器 SanDisk - SSD ULTRA320 SCSI 8GB
RNF18FTD215K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 215K OHM 1% AXIAL
SCD475K601A3Z25-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 矩形接線盒 CAP FILM 4.7UF 600VDC SCREW
RNCP0603FTD221R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 221 OHM 1% 0603 SMD
SI7160DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI4032-B1-FM
RF 發(fā)射器 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盤(pán) IC TX 240-930MHZ 1-20DB 20VQFN
SD6XA-032G-000000
固態(tài)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器 SanDisk - SSD ULTRA320 SCSI 32GB
RNF18FTD226K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 226K OHM 1% AXIAL

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