SI4425B 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

SI4425BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11.4A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

SI4425BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11.4A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：剪切帶 (CT)

SI4425BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11.4A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：Digi-Reel®

SI4425BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.8A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11.4A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：1.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• SD53-1R1-R

  固定式    Cooper Bussmann    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCT SHIELDED 1.1UH 3.25A SMD

• RNF18FTC5K62

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES 1/8W 5.62K OHM 1% AXIAL

• SI4425BDY-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

• MDM-51PH005K

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO 51POS PIN 30"

• RNCF1206DTE634R

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 634 OHM 1/8W 0.5% 1206

• SI3424DV-T1-E3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

• SI6928DQ-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP

• SCC2692AE1N28,602

  接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器）    NXP Semiconductors    28-DIP（0.600"，15.24mm）    IC DUART 28-DIP

• RNF18FTC73R2

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MF 1/8W 73.2 OHM 1% AXIAL

• RNCF1206DTE6K49

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    1206（3216 公制）    RES 6.49K OHM 1/8W 0.5% 1206

• MDM-51PH005P

  D-Sub    ITT Cannon        MICRO 51POS PIN 30"

• SI6928DQ-T1-E3

  FET - 陣列    Vishay Siliconix    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 4.0A 8TSSOP

• SI3430DV-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）    MOSFET N-CH 100V 6-TSOP

• RNF18FTD100K

  通孔電阻器    Stackpole Electronics Inc    軸向    RES MF 1/8W 100K OHM 1% AXIAL

• SI4425DDY-T1-GE3

  FET - 單    Vishay Siliconix    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC