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SI4420DY詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2180pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4420DY詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

SI4420DY,518詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A SOT96-1; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

SI4420DYPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

SI4420DYTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

SI4420DYTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 12.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

RNCF1206DTE4K42
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 4.42K OHM 1/8W 0.5% 1206
SI6544BDQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N/P-CH 30V 8-TSSOP
SCC2692AC1A44,529
接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器） NXP Semiconductors 44-LCC（J 形引線） IC DUART SOT187-2
SI4420BDY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
SD52-270-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER SHIELD 27UH SMD
RNF18FTC432K
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 432K OHM 1% AXIAL
MDM-51PH004P
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 24"
RNCF1206DTE5K36
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 5.36K OHM 1/8W 0.5% 1206
SI3407DV-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET P-CH 20V 6-TSOP
SCC2692AC1N28,129
接口 - UART（通用異步接收器/發(fā)送器） NXP Semiconductors 28-DIP（0.600"，15.24mm） IC DUART 28-DIP
SD53-100-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR SHIELDED 10.0UH SMD
RNF18FTC511R
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 511 OHM 1% AXIAL
MDM-51PH005F
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS PIN 30"
RNCF1206DTE619R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 619 OHM 1/8W 0.5% 1206
SI6925ADQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP

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