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SI4410BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4410BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4410BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

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VJ1210Y223KBAAT4X
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VI-2WD-MV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 150W
VI-LUL-EW
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Vicor Corporation 模塊 POWER SUPPL SINGLE-OUT 28V 20A
VI-B3T-MU-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 200W
SG-8003JF-PCM
振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-LESOP（0.181"，4.60mm 寬） OSC CMOS PROG 3.3V OE SMD
VJ1210Y223KBCAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 0.022UF 200V X7R 1210
SI4410DYPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
VI-B6J-IW-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 100W

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