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SI4170DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4355pF @ 15V; 功率_最大：6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4170DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4355pF @ 15V; 功率_最大：6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4170DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4355pF @ 15V; 功率_最大：6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4172DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：820pF @ 15V; 功率_最大：4.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4172DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：820pF @ 15V; 功率_最大：4.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

SI4172DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：820pF @ 15V; 功率_最大：4.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

MS27656T13F35S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 22POS WALL MNT W/SCKT
SI4172DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SP06B
DIP C&K Components 10-UFDFN SWITCH SIP SPST 6POS VERT UNSLD
MS3102A28-10P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS BOX MNT W/PINS
MS27484T16A8SALC
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG PLUG 8POS STRGHT SCKT
SFR2500001249FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 12.4 OHM METAL FILM .40W 1%
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陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 8.2PF 500V 1111
MS27656T13F4P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS WALL MNT W/PINS
MS27484T16B35PD
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 55POS STRAIGHT W/PINS
SQCB7M8R2CAQME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 8.2PF 500V 1111
SFR2500001272FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 12.7K OHM MET FILM .40W 1%
MS27656T13F8P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS WALL MNT W/PINS
MS3102A28-11P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 22POS BOX MNT W/PINS
MS27484T16B6SA
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 6POS STRAIGHT W/SCKT
SQCB7M8R2CATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 8.2PF 500V 1111

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