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SI2328DS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：730mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2328DS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：730mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2328DS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：730mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2328DS-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 100V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：730mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2328DS-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 100V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：730mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2328DS-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 100V SOT-23; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：730mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SL-131-T-12
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CONN RCPT .100" 31POS GOLD PCB
SI2327DS-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
VI-B1M-CV-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
SI8402DB-T1-E1
FET - 單 Vishay Siliconix 4-XFBGA，CSPBGA MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
VI-B3Y-EY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W
VI-B51-IY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 50W
VI-B0L-CX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 75W
VI-BNB-EU-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 200W
SL-132-T-11
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CONN RCPT .100" 32POS GOLD PCB
SI8407DB-T2-E1
FET - 單 Vishay Siliconix 6-MICRO FOOT?CSP MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP
VI-B51-MU-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 200W
VI-B3Y-IU
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 132W
VI-B0L-CY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 50W
VI-BNB-EU-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 200W
SL-132-TT-11
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CONN RCPT .100" 32POS TIN PCB

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