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SI2312BDS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2312BDS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2312BDS-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2312BDS-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SI2312BDS-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

SI2312BDS-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：850mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

SI2312供應(yīng)商

SK16-LTP
單二極管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB DIODE SCHOTTKY 1A 60V SMB
RT1206CRE0788R7L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 88.7 OHM 1/4W .25% SMD 1206
SRR1260-820M
固定式 Bourns Inc. 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 82UH 1.95A SMD
SR201A911GAATR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 910PF 100V 2% RADIAL
SI2309CDS-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 60V SOT23-3
SFD66S40K491B-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - QC 端子 CAP FILM 40UF 660VAC QC TERM
SR121A221KARAP2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 220PF 100V 10% RADIAL
SR155C392KAATR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 3900PF 50V 10% RADIAL
SK18-LTP
單二極管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB DIODE SCHOTTKY 1A 80V SMB
SR201C103KAT
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 100V 10% RADIAL
SRR1280-101M
固定式 Bourns Inc. 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR SHIELDED 100UH SMD
SFF-018
緩沖器，支腳，焊盤，握把 Richco Plastic Co 徑向，Can FAST FEET SOFT .39X.79" 305"DIA
SR121A331FAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 330PF 100V 1% RADIAL
SK220M025ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 22UF 25V 20% RADIAL
SR155C471KARTR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL

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