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NTR1P02LT1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 750mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 5V; 功率_最大：400mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

NTR1P02LT1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 750mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 5V; 功率_最大：400mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

NTR1P02LT1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 750mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 5V; 功率_最大：400mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

NTR1P02LT3G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 750mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 5V; 功率_最大：400mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

NTR1P02LT3G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 750mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 5V; 功率_最大：400mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

NTR1P02LT3G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：220 毫歐 @ 750mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 4V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：225pF @ 5V; 功率_最大：400mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

OSTOQ150151
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 15POS 7.62MM
OSTVQ121151
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 12POS
OF102J
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR 1.0K OHM .5W CARB COMP
NTR1P02LT1G
FET - 單 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
OSTVV182150
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 18POS
OSTTH082150
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK PLUG 3.5MM 8POS
MP6-1R-1R-4LH-4QE-05
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
OSTVQ173151
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 17POS
OSTOQ155350
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 15POS 5.08MM
OSTTH092150
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK PLUG 3.5MM 9POS
OSTVW161000
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 16POS
MP6-1S-1S-1S-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
OSTVQ183151
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 18POS
OSTOQ15A550
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HEADER 15POS 7.5MM
OF124JE
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR 120K OHM .5W CARB COMP

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