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IRLR014詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.6A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.4nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRLR014NPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V; 功率_最大：28W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRLR014NTR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V; 功率_最大：28W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR014NTRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V; 功率_最大：28W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR014NTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V; 功率_最大：28W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR014NTRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 10A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.9nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：265pF @ 25V; 功率_最大：28W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

P-230SCSL3X1
電池組 Panasonic - BSG 6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） BATTERY PACK 3.6V 2300 MAH NICAD
IRL3713STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
IRLMS6802TRPBF
FET - 單 International Rectifier 6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬） MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
ISD1620BSY
接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC VOICE REC/PLAY 20SEC 16-SOIC
P0402
陣列，信號變壓器 Pulse Electronics Corporation 模塊 INDUCT PWR TOROID 108.0UH SMD
ISL8491IBZ
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） TXRX RS-485/422 5V LP 14-SOIC
P2RM-SR
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOCKET BRIDGE AC FOR P2RF
MPSA14_D27Z
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANS DARL NPN 30V 1.2A TO-92
P231-FA25BR50K
旋轉(zhuǎn) - 線性 TT Electronics/BI POT ROTARY 50K OHM 24MM SLDR LUG
ISD1620BSY01
接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC VOICE REC/PLAY 20SEC 16-SOIC
P0420NLT
共模扼流圈 Pulse Electronics Corporation 水平式，4 PC 板 CHOKE COM MODE 1.32MH 3.30A SMD
ISL8499IR
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil 16-VFQFN 裸露焊盤 IC SWITCH QUAD SPDT 16QFN
MPSA27RLRAG
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANS NPN DARL SS 60V TO92
P2R-P
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOCKET MOUNTING PLATE FOR P2RF
P2353AAL60
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-220-3（SMT）標片 SIDAC SYM 3CHP 200V 50A TO220