IRL3402S 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

IRL3402S詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：85A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 51A，7V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 15V

功率_最大：110W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL3402SPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：85A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 51A，7V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 15V

功率_最大：110W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL3402STRL詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：85A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 51A，7V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 15V

功率_最大：110W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRL3402STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：85A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 51A，7V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 15V

功率_最大：110W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRL3402STRR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：85A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 51A，7V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：78nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：3300pF @ 15V

功率_最大：110W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• CRCW2512205KFKTG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 205K OHM 1W 1% 2512 SMD

• IRF9362TRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH DUAL 30V 8A 8-SOIC

• IRL3303S

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK

• IRF9383MTR1PBF

  FET - 單    International Rectifier    *    MOSF P CH 30V 22A DIRECTFET

• IRF7433PBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC

• IHSM7832ER2R2L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 2.2UH 8.4A SMD

• IRL3303STRRPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK

• EXB-E10C104J

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Panasonic Electronic Components    1608（4021 公制），凹陷    RES ARRAY 100K OHM 8 RES 1608

• CRCW2512205RFKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 205 OHM 1W 1% 2512 SMD

• IRF7451TR

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC

• IHSM7832ER332L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 3300UH .27A SMD

• IRF9410

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

• IRL3705ZSPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

• CRCW251220K5FKTG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 20.5K OHM 1W 1% 2512 SMD

• EXB-E10C105J

  網(wǎng)絡(luò)、陣列    Panasonic Electronic Components    1608（4021 公制），凹陷    RES ARRAY 1M OHM 8 RES 1608