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IRFR3410TR 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IRFR3410TRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 18A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1690pF @ 25V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak

包裝：剪切帶 (CT)

IRFR3410TRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 18A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1690pF @ 25V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRFR3410TRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 18A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1690pF @ 25V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak

包裝：Digi-Reel®

IRFR3410TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 18A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1690pF @ 25V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRFR3410TRRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：39 毫歐 @ 18A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1690pF @ 25V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

• H3CKH-3406G

  矩形    Assmann WSW Components        IDC CABLE - HKC34H/AE34G/HPK34H

• H3CR-A8E AC/DC24-48

  延時(shí)型    Omron Electronics Inc-IA Div        RELAY ANALOG SET SPDT 8PIN

• IRFR3410TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

• H5BXT-10112-S2-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H2730TR/C2016S/X 12"

• FP11SPA1B1TP03

  按鈕    C&K Components    非標(biāo)準(zhǔn)    SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 28V

• IRM-8755K-1

  光學(xué) - 光電檢測(cè)器 - 遙控接收器    Everlight Electronics Co Ltd        RECEIVER MOD IR REMOTE

• IRFR120ZTR

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

• GQM1875C2E330GB12D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 33PF 250V 2% NP0 0603

• H3CR-AP AC100-240/DC100-125

  延時(shí)型    Omron Electronics Inc-IA Div        TIMER SS MULTI ANLG 11PIN PNP

• H5BXT-10112-V0-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H2730TR/C2040V/X 12"

• GQM1875C2E330JB12D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 33PF 250V 5% NP0 0603

• IRM-8881S

  光學(xué) - 光電檢測(cè)器 - 遙控接收器    Everlight Electronics Co Ltd        RECEIVER MOD IR REMOTE

• FP11SPC1B1TP01

  按鈕    C&K Components    非標(biāo)準(zhǔn)    SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 28V

• IRFR12N25DCPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

• H3CR-FN-300 AC/DC24

  延時(shí)型    Omron Electronics Inc-IA Div        TIMER SS REPEAT CYCLE 11PIN