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IRFR310TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 歐姆 @ 1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR310TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 歐姆 @ 1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR310TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 歐姆 @ 1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR310TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 歐姆 @ 1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR310TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 歐姆 @ 1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR310TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 歐姆 @ 1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IMC1210ER820J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 82UH 5% 1210
JW-15-04-T-S-250-250
面板至面板 - 面板襯墊，堆疊器 Samtec Inc 9-DIP 模塊 CONN STACKER .156" 15POS SGL TIN
IRFR2905ZTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IL710-3E
數(shù)字隔離器 NVE Corp/Isolation Products 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） ISOLATOR HS MAGN DIGITAL 8SOIC
KPT00F22-34P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 34POS W/PIN WALL
IZPP3S432L0G
按鈕 APEM Components, LLC * SWITCH PUSH SPST-NO 0.2A 250V
KPSE07E14-15S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 15POS JAM NUT W/SKTS
ECQ-E2183JFB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.018UF 250VDC RADIAL
IMC1210ERR33K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 330NH 10% 1210
IL710S-1E
數(shù)字隔離器 NVE Corp/Isolation Products 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） ISOLATOR HS MAG DGTL 100C 8-MSOP
IZPR3P422
按鈕 APEM Components, LLC * SWITCH PUSH SPST-NO 0.2A 250V
KPT00F22-36S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 36POS WALL MNT SKT
KPSE07E14-19PDZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 19POS JAM NUT PIN
ECQ-E2183KB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.018UF 250VDC RADIAL
IMC1210ERR33M
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 330NH 20% 1210

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