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IRF7324詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 9A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2940pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7324D1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7324D1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7324D1TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7324D1TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7324D1TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7322D1TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
ECJ-3YB1E474K
陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 25V 10% X7R 1206
LM4051AIM3-1.2
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23
KPSE02E16-26PA206
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/PINS
IRF8313TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 9.7A 8-SOIC
KPT06E18-32PZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS W/PIN CABLE
K471K10C0GH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL
ECJ-3YB1E475K
陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 25V 10% X5R 1206
IXBOD1-06
TVS - 其它復(fù)合 IXYS 徑向 IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP
KPSE02E16-26S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS
K471K10X7RH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
IRF8327STRPBF
其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
KPT06E18-32SW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS CABLE W/SKT
LM4051BEM3-ADJ/NOPB
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
IXBOD1-14R
TVS - 其它復(fù)合 IXYS 徑向 IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1400V

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