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IRF7313詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7313PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7313QTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET HEX N-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7313QTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET HEX N-CH DUAL 30V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7313TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7313TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

HCM49-7.680MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 7.680 MHZ 18PF SMD
HBX682SBBCF0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 6800PF 2KV RADIAL
IRF7313PBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
IRF7842TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
DTS26F25-4BN
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 56POS SKT
H3BBT-10104-W8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048W/H1504TR 4"
HBC15DRYI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS DIP .100 SLD
HCM49-9.000MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 9.000 MHZ 18PF SMD
HBZ101KBBBF0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 100PF 2KV 10% RADIAL
E39-RS2-CA
配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR TAPE PHOTOELECT SENSOR
DTS26F25-4HD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 56POS STRGHT W/PINS
H3BBT-10106-A4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015A/H1504TR 6"
HBC15DRYI-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS .100 EXTEND
HCM49-9.8304MABJT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 9.8304 MHZ 18PF SMD
IRF7314QTRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET HEX P-CH DUAL 20V 8-SOIC

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